Dersin Kodu | Dersin Adı | Dersin Türü | Yıl | Yarıyıl | AKTS |
---|---|---|---|---|---|
FYL513 | YARI İLETKENLER FİZİĞİ I | Seçmeli Ders Grubu | 1 | 2 | 5,00 |
Yüksek Lisans
Bu dersin amacı, yarı iletken cihazların özelliklerini, çalışmasını ve sınırlamalarını anlamak için bir temel sağlamaktır. Bu anlayışı kazanmak için, yarı iletken malzemenin fiziği hakkında kapsamlı bir bilgiye sahip olmak esastır. Bu dersin amacı kuantum mekaniği, katıların kuantum teorisi, yarı iletken malzeme fiziği ve yarı iletken cihaz fiziğini bir araya getirmektir. Tüm bu bileşenler, hem günümüz cihazlarının işleyişinin hem de bu alanda gelecekte yaşanacak gelişmelerin anlaşılması için hayati önem taşımaktadır.
Prof. Dr. Hidayet ÇETİN
1 | Katıların kuantum fiziğini öğrenmek |
2 | Yarıiletken malzeme fiziğini öğrenmek |
3 | Yarıiletken aygıt fiziğini öğrenmek |
4 | Günümüz yarıiletken aygıtları hakkında bilgi sahibi olmak ve bunların geleceğe evrimini değerlendirmek |
Birinci Öğretim
-
-
Ders giriş fiziği ile başlamakta, yarı iletken malzeme fiziğine geçmekte ve daha sonra yarı iletken cihazların fiziğini kapsamaktadır. Bölüm 1 şunları sunar Katıların kristal yapısına giriş, ideal tek-kristale giden yol yarı iletken malzeme. Bölüm 2 ve 3'te kuantum mekaniği ve birlikte gerekli temel fiziği sağlayan katıların kuantum teorisi. 4 ila 6. Bölümler yarı iletken malzeme fiziğini kapsamaktadır. Bölüm4 şunları sunar termal dengedeki yarı iletkenin fiziği; Bölüm 5'te ise taşınım bir yarı iletkendeki yük taşıyıcılarının fenomenleri. Denge dışı aşırı taşıyıcı özellikleri daha sonra Bölüm 6'da geliştirilmiştir. Bir yarı iletkendeki fazla taşıyıcıların davranışını anlamak, cihaz fiziğini anlama hedefi için hayati önem taşır. Temel yarı iletken cihazların fiziği 7 ila 13. Bölümlerde geliştirilmiştir. Bölüm 7'de temel pn bağlantısının elektrostatiği ve Bölüm 8'de pn bağlantısının akım-voltaj özellikleri ele alınmaktadır. Hem doğrultucu hem de doğrultucu olmayan metal-yarıiletken bağlantılar ve yarıiletken hetero bağlantılar Bölüm 9'da ele alınırken, Bölüm 10 bipolar transistörü ele almaktadır. Metaloksit-yarıiletken alan etkili transistörün fiziği Bölüm I I ve 12'de sunulmakta ve Bölüm 13'te bağlantı alan etkili transistör ele alınmaktadır. PN jonksiyonunun fiziği geliştirildikten sonra, üç temel transistörle ilgili bölümler
Hafta | Konular (Teorik) | Öğretim Yöntem ve Teknikleri | Ön Hazırlık |
---|---|---|---|
1 | Katıların kristal yapıları | ||
2 | Kuantum mekaniğe giriş | ||
3 | Kauntum mekaniği ve katılar | ||
4 | Enerji bandlarının oluşumu | ||
5 | Enerji band ve bağ modeli | ||
6 | Sürüklenme akımı ve etkin kütle | ||
7 | Deşik kavramı | ||
8 | Metaller yalıtkanlar ve yarıiletkenler | ||
9 | Arasınav+ders tekrarı | ||
10 | The k-Space Diagrams of Si and GaAs | ||
11 | İstatistik mekanik ve istatistiksel dağılımlar | ||
12 | Asal ve katkılı yarıiletkenler | ||
13 | Asal ve katkılı yarıiletkenler II | ||
14 | Asal ve katkılı yarıiletkenler III | ||
15 |
1. SEMICONDUCTOR PHYSICS AND DEVICES: BASIC PRINCIPLES THIRD EDITION, D. A. Newman, 2003
Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | Adet | Değer |
---|---|---|
Ara Sınav | 1 | 60 |
Quiz | 1 | 40 |
Toplam | 100 | |
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | Adet | Değer |
Final Sınavı | 1 | 100 |
Toplam | 100 | |
Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | 40 | |
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | 60 |
-
Etkinlikler | Sayısı | Süresi (saat) | Toplam İş Yükü (saat) |
---|---|---|---|
Final Sınavı | 1 | 1 | 1 |
Tartışma | 14 | 2 | 28 |
Soru-Yanıt | 4 | 1 | 4 |
Takım/Grup Çalışması | 14 | 1 | 14 |
Rapor Hazırlama | 14 | 2 | 28 |
Seminer | 4 | 6 | 24 |
Final Sınavı içiin Bireysel Çalışma | 1 | 10 | 10 |
Okuma | 14 | 2 | 28 |
Toplam İş Yükü (saat) | 137 |
PÇ 1 | PÇ 2 | PÇ 3 | PÇ 4 | PÇ 5 | PÇ 6 | PÇ 7 | PÇ 8 | PÇ 9 | PÇ 10 | |
ÖÇ 1 | 3 | 3 | 2 | 4 | 3 | 4 | 2 | 3 | 4 | 5 |
ÖÇ 2 | 3 | 4 | 3 | 4 | 3 | 5 | 2 | 4 | 3 | 3 |
ÖÇ 3 | 1 | 2 | 3 | 4 | 4 | 3 | 4 | 5 | 5 | 5 |
ÖÇ 4 | 3 | 3 | 3 | 4 | 4 | 4 | 5 | 5 | 5 | 5 |